PROCEDE DE REALISATION PAR EPITAXIE D'UN FILM DE NITRURE DE GALLIUM SEPARE DE SON SUBSTRAT

摘要

La présente invention conceme l'élaboration de films de nitrure de gallium par épitaxie avec des densités de défauts réduites. Elle a pour objet un procédé de réalisation d'un film de nitrure de gallium (GaN) par dépôt de GaN par épitaxie, caractérisé en ce que le dépôt de GaN comporte au moins une étape de surcroissance épitaxiale latérale (ELO) et en ce qu'il comporte une étape de séparation d'une partie de la couche de GaN de son substrat par fragilisation par implantation d'ions dans la couche de GaN directement.Elle concerne aussi les films de GaN susceptibles d'être obtenus par ce procédé ainsi que les composants optoélectroniques et électroniques munis de ces films de nitrure de gallium.