| 摘要 |
<p>Eine Photodiode umfasst neben einem Halbleitersubstrat (12) und einem photoempfindlichen Bereich (18, 24) in dem Halbleitersubstrat, der einen Raumladungszonenbereich (18) zum Erzeugen eines Diffusionsstromanteils und einen Diffusionsbereich (24) zum Erzeugen eines Diffusionsstromanteils aufweist, eine Isolationseinrichtung (20) in dem Halbleitersubstrat zum zumindest teilweisen Eingrenzen des Diffusionsbereichs gegenüber einem angrenzenden Umgebungsbereich des Halbleitersubstrats. Die Verringerung der Bandbreite von Photodioden durch das Verschmieren der Antwort der Photodiode durch den Diffusionsstrom wird dadurch gemindert, dass eine Isolationseinrichtung in dem Halbleitersubstrat vorgesehen wird, welchen den Diffusionsbereich gegenüber dem umgebenden Halbleitersubstrat eingrenzt und hierdurch einerseits die Anzahl von zum Diffusionsanteil beitragenden Ladungsträgern dadurch verringert, dass der Diffusionsbereich, in welchem die diffundierenden Ladungsträger erzeugt werden, verringert wird, und andererseits dadurch, dass in dem verkleinerten Diffusionsbereich erzeugte diffundierende Ladungsträger durch die Isolationseinrichtung 'abgesaugt' werden, weshalb dieselben nicht zum Photostrom beitragen.</p> |
