| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einer Mehrschichtverbindungsstruktur, mit einem verbesserten Schritt zum Herstellen einer dielektrischen Zwischenschicht |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69627233(T2) |
申请公布日期 |
2003.12.04 |
| 申请号 |
DE19966027233T |
申请日期 |
1996.01.12 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI |
发明人 |
YAMASHITA, ATSUKO |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/768;H01L21/312 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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