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Ein Halbleitervorrichtungsgehäuse (S1) weist eine Halbleitervorrichtung (10, 60), ein Harzgehäuse (20), eine Mehrzahl von Leitern (40) und eine Mehrzahl von Kontaktierungsdrähten (50) auf. Die Halbleitervorrichtung (10, 60) beinhaltet eine Mehrzahl von Kontaktierungsanschlußflächen (15, 61). Das Harzgehäuse (20) weist eine Vorrichtungsanbringungsoberfläche (21, 22) auf. Die Vorrichtungsanbringungsoberfläche (21, 22) weist eine Vertiefung (23, 24) auf. Die Halbleitervorrichtung (10, 60) ist auf der Vorrichtungsanbringungsoberfläche (21, 22) angebracht. Jeder der Leiter (40) weist eine Kontaktierungsoberfläche (41) auf. Jeder der Leiter (40) ist derart mittels Einlageformens in dem Harzgehäuse (20) ausgebildet worden, daß die Kontaktierungsoberfläche (41) von dem Harzgehäuse (20) freiliegt. Ein jeweiliger der Kontaktierungsdrähte (50) verbindet elektrisch eine jeweilige der Kontaktierungsanschlußflächen (15, 61) und eine jeweilige der Kontaktierungsoberflächen (41). Jede der Kontaktierungsanschlußflächen (15, 61) und die Vertiefung (23, 24) weisen eine derartige positionelle Beziehung auf, daß die Halbleitervorrichtung (10, 60) durch die Vorrichtungsanbringungsoberfläche (21, 22) direkt unter den Kontaktierungsanschlußflächen (15, 61) gehalten wird, wenn die Kontaktierungsanschlußflächen (15, 61) unter Verwendung der Kontaktierungsdrähte (50) drahtkontaktiert werden. |
