| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Ätzgas für die Herstellung eines Halbleiterbausteins mittels eines Trockenätzverfahrens mit mindestens einem Anteil von CxFyHZ-Gas, insbesondere C5F8, C4F6, C4F8 und / oder C2F4H2 gekennzeichnet durch einen molaren Wasserstoff-Anteil, der größer ist als der molare Anteil des CxFyHZ-Gases. Damit wird eine hohe Selektivität in Bezug auf eine Resistschicht 10 erreicht.</p> |
