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发明名称 Grabenfüllung mit niedrigem spezifischem Widerstand zur Verwendung in DRAM- und eDRAM-Speichern
摘要 Die Erfindung betrifft Halbleiterbauelemente, die tiefe Gräben umfassen, in die ein Füllmaterial mit geringem spezifischen Widerstand eingebracht wird, sowie Verfahren zur Herstellung solcher Halbleiterbauelemente.
申请公布号 DE10320029(A1) 申请公布日期 2003.12.04
申请号 DE2003120029 申请日期 2003.05.06
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK 发明人 GOLDBACH, MATTHIAS;HAUF, MANFRED;JAMMY, RAIARAO;MCSTAY, IRENE;ROUSSEAU, JEAN-MARC;SCHROEDER, UWE;SCHUMANN, DIRK;SEIDL, HARALD;SELL, BERNHARD;SHEPARD, JOSEPH F.;TEWS, HELMUT
分类号 H01L21/02;H01L21/441;H01L21/4763;H01L21/8242;H01L23/48;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
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