发明名称 |
METHOD FOR CONTROLLED DOPING BY GAS OF FOREIGN SUBSTANCE INTO SEMICONDUCTOR MATERIALS |
摘要 |
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申请公布号 |
US3558376(A) |
申请公布日期 |
1971.01.26 |
申请号 |
USD3558376 |
申请日期 |
1967.01.05 |
申请人 |
SIEMENS AG. |
发明人 |
OTTO SCHMIDT;KLAUS WARTENBERG;KONRAD REUSCHEL |
分类号 |
C30B11/06;C30B13/12;(IPC1-7):H01L7/36;H01L7/44 |
主分类号 |
C30B11/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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