| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是，抑制掺杂剂的相互扩散，实现附有光调制器的激光器的高速工作。在从有源层2产生激光的半导体器件中，设置包含有源层2的脊形台面5；以掩埋台面5的两侧的方式形成的电流阻挡层6；以排列在台面5和电流阻挡层6上表面的方式形成的扩散阻止层10；以及在扩散阻止层10上形成的、含有规定杂质的p－InP限制层7。能够抑制p－InP限制层7中的杂质向电流阻挡层6扩散所引起的电流阻挡层6的电阻值减小，可以实现附有光调制器的激光器的高速工作。 | ||
| 申请公布号 | CN1459898A | 申请公布日期 | 2003.12.03 |
| 申请号 | CN03104206.6 | 申请日期 | 2003.01.29 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 门胁朋子 |
| 分类号 | H01S5/00 | 主分类号 | H01S5/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，它是从有源层产生激光的半导体器件，其特征在于，包括：包含上述有源层的脊形台面部分；以掩埋上述台面部分的两侧的方式形成的电流阻挡层；以排列在上述台面部分和上述电流阻挡层上表面的方式形成的扩散阻止层；以及在上述扩散阻止层上形成的、含有规定杂质的导电层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||