发明名称 具有柔性衬底的矩阵阵列器件
摘要 一种矩阵阵列器件,例如有源矩阵显示器件、图象传感器等,它包含承载在柔性衬底(20)上的矩阵电路(12、14、16、18),此电路包括诸如TFT的占据分立区域的半导体器件(12)。离开半导体器件(12)的衬底(20)有选择的区域,被形成为低强度区域,以便当器件弯曲时促进衬底在这些区域处择优发生弯折,从而减少半导体器件被损伤的危险。这些区域例如可以包含延伸在半导体器件之间的低强度的线(50,52),并可以借助于对衬底进行局部减薄或借助于对衬底材料进行处理以便修正其在预定区域处的刚度来形成。
申请公布号 CN1460299A 申请公布日期 2003.12.03
申请号 CN02801030.2 申请日期 2002.04.02
申请人 皇家菲利浦电子有限公司 发明人 N·D·杨
分类号 H01L29/786;H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1333 主分类号 H01L29/786
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴立明;梁永
主权项 1.一种柔性矩阵阵列器件,它包含承载在柔性衬底表面上的薄膜矩阵电路,此矩阵电路包括排列成规则阵列的并占据衬底的各个分立区域的半导体器件,其中离开半导体器件所占据的区域的有选择的衬底区域包含更容易发生衬底弯折的低强度区域。
地址 荷兰艾恩德霍芬