| 发明名称 | 提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是提供一种提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法。首先提供一半导体基底，其上形成有一氮化硅膜；接着将该氮化硅膜接触一含氧电浆，随后再沉积一硼硅玻璃膜于该氮化硅膜之上；经过60秒臭氧电浆处理过硼硅玻璃膜底下的氮化硅膜之后，该硼硅玻璃膜的Kapp值比未处理的Kapp值可增加约50％左右。 | ||
| 申请公布号 | CN1459834A | 申请公布日期 | 2003.12.03 |
| 申请号 | CN02159060.5 | 申请日期 | 2002.12.27 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吴欣昌;蔡正原;方郁文;杨能辉 |
| 分类号 | H01L21/314;H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/314 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种提高氮化硅膜及硼硅玻璃膜之间粘合强度的方法，其特征是：它包含有如下步骤：(1)提供一半导体基底，其上形成有一氮化硅膜；(2)将该氮化硅膜接触一含氧电浆；(3)沉积一硼硅玻璃膜于该氮化硅膜之上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||