使用低－K介电材料形成双大马士革互连的方法

摘要

一种使用低－k介电有机聚合物作为绝缘层形成双大马士革互连的方法。仅仅利用一个硬掩模层，使用蚀刻速率不同于自对准衬片的硬掩模层和蚀刻－停止层防止灰化损伤绝缘层。而且，可以形成小于光刻工艺的分辨极限的通孔。由此，工艺被简化且不发生光致抗蚀剂尾部现象。

主权项

1.一种形成双大马士革互连的方法，包括：在形成下导电层的半导体衬底上依次地形成下绝缘层、上蚀刻-停止层、上绝缘层以及硬掩模层；图形化硬掩模层和上绝缘层以在上绝缘层中形成互连凹槽，该互连凹槽暴露出部分的上蚀刻-停止层；在互连凹槽的侧壁上形成衬片；形成具有开口的光致抗蚀剂图形，该开口暴露出互连凹槽和部分的上蚀刻-停止层；连续地蚀刻上蚀刻-停止层和下绝缘层以在下绝缘层中形成孔，该孔暴露出部分的下导电层；除去图形化的硬掩模层和衬片；以及形成互连以填充互连凹槽和孔。