发明名称 集成逻辑电路和电可擦可编程只读存储器
摘要 形成在一半导体基片上的MOS晶体管电路,该电路在不同的最小工作电源电压下工作,这个MOS晶体管电路具有这样的结构,使在最小工作电源电压下工作的MOS晶体管的阈值电压降低,并且加长这个晶体管的沟道长度。此外,读出放大器电路包括具有一对输入端子的差分放大器电路,预充电电路和负载电路。
申请公布号 CN1129915C 申请公布日期 2003.12.03
申请号 CN95115841.4 申请日期 1995.08.01
申请人 精工电子工业株式会社 发明人 久保和昭;铃木幸夫;宫城雅记
分类号 G11C16/02 主分类号 G11C16/02
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 萧掬昌;王忠忠
主权项 1.一种形成在半导体基片上的电可擦可编程序只读存储器,包括:用于对输入信号进行译码的译码器(83);用于存储已译码的信号的存储器(84);读出电路(82),用于控制所述译码器和存储器,并且读出存储器中的数据;以及写入电路(85),用于控制所述译码器和存储器,并且将数据写入存储器;其中第一电源电压馈给第一电路区,该区内至少包括所述的读出电路,该电路中晶体管的阈值电压的绝对值是0.3-0.7伏,其中第二电源电压馈给第二电路区(81),该区内至少包括所述的写入电路(85),该电路中晶体管的阈值电压的绝对值是0.7-0.9伏。
地址 日本千叶县