分离栅极快闪存储单元的复晶硅间隙壁的制造方法

摘要

本发明公开一种分离栅极快闪存储单元(Split Gate Flash Cell)的复晶硅间隙壁(Polysicilion Spacer)的制造方法，其在完成快闪存储单元的分离栅极的主体结构，并在此主体结构上覆盖复晶硅层后，再覆盖一层由氮氧化硅(SiON)或氮化硅(SiN)所构成的硬罩幕(Hard Mask)层。通过此硬罩幕的保护，可在进行复晶硅层的间隙壁蚀刻时，防止孔洞(Punch)在基材中形成，并造成垂直的间隙壁。此外，更可在复晶硅层的间隙壁蚀刻进行一段时间后，以氧等离子体在复晶硅层上形成氧化层来当作牺牲硬罩幕。由于此牺牲硬罩幕可避免在间隙壁上形成凹陷区，因此可获得形状更趋于方形的间隙壁结构。

主权项

1、一种分离栅极快闪存储单元(Split Gate Flash Cell)的复晶硅间隙壁(Polysicilion Spacer)的制造方法，其特征在于：至少包括：提供一基材，其中该基材的一部分上形成有该分离栅极快闪存储单元的一预设结构；形成一复晶硅层覆盖在该基材以及该分离栅极快闪存储单元的该预设结构上；形成一硬罩幕(Hard Mask)层覆盖在该复晶硅层上；进行一定义步骤，借此以去除部分的复晶硅层以及部分的硬罩幕层，而暴露出该基材的一部分；形成一逻辑(Logic)栅极于该基材的另一部分上，并在该复晶硅层的一部分上形成一第一氧化层；进行一第一蚀刻步骤，借此以去除该第一氧化层，而约暴露出该复晶硅层的该另一部分；进行一第二蚀刻步骤，借此去除该复晶硅层的该另一部分的一部分；进行一等离子体处理，借此在其余的该复晶硅层上覆盖一第二氧化层；进行一第三蚀刻步骤，借此去除部分的该第二氧化层；进行一第四蚀刻步骤，借此在该分离栅极快闪存储单元的该预设结构的两侧形成复数个复晶硅间隙壁，并形成一残余物。