具有串接二极管的等电压感知式磁性随机访问存储器（MRAM）

摘要

一种数据存储器件，它包括电阻式存储单元(170、173、175、177)的阵列(165)以及电气连接到阵列(165)的电路。电阻式存储单元(170、173、175、177)包括与二极管(260)电气连接的磁性随机访问存储器单元(265)。该电路能够向阵列(165)中的一些电阻式存储单元(170、173、175、177)施加第一电压，向阵列(165)的其它单元(170、173、175、177)施加第二电压，以及向阵列(165)的另外单元(170、173、175、177)施加第三电压。此外，一种方法，它用于使用该电路感测所选电阻式存储单元(175)的电阻状态。

主权项

1.一种数据存储器件，包括：具有行和列的电阻式存储单元(170、173、175、177)的阵列(165)；一组用串接方式与阵列(165)中的多个电阻式存储单元(170、173、175、177)电气连接的二极管(260)；沿着阵列(165)的行伸展的多条字线；沿着阵列(165)的列伸展的多条位线；阵列(165)中的第一所选电阻式存储单元(175)，其中第一所选电阻式存储单元(175)安置在多条字线中的第一字线(180)和多条位线中的第一位线(190)之间；以及与阵列(165)电气连接的电路，它能够向第一字线(180)施加第一电压，向第一位线(190)施加第二电压，以及向多条字线中的第二字线(200)和多条位线中的第二位线(210)中的至少之一施加第三电压。