| 发明名称 | 有助于残留物去除的各向同性电阻器保护蚀刻 | ||
| 摘要 | 各种制造例如栅极或电阻器的电路结构的方法。一方面，本发明提供制造电路结构的方法，该方法包括于基底(12)上形成硅结构(18)，且于该硅结构(18)上形成氧化膜(44)。掩模该氧化膜(44)的第一部份(30)同时留下未掩模的第二部分(22)。通过各向同性等离子蚀刻去除该氧化膜(44)的第二部分(22)以暴露该硅结构(18)的部分(22)，且将该氧化膜(44)的第一部份上的掩模去除。使用用以去除电阻器保护氧化层的各向同性蚀刻可减少隔离结构受损的可能性，而该隔离结构的受损系由与常规各向异性蚀刻技术有关的侵害性过度蚀刻所造成。 | ||
| 申请公布号 | CN1460290A | 申请公布日期 | 2003.12.03 |
| 申请号 | CN01815564.2 | 申请日期 | 2001.07.26 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | D·J·邦瑟;M·珀迪 |
| 分类号 | H01L21/311;H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/311 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种电路结构的制造方法，该方法包括：于基底(12)上形成硅结构(18)；于该硅结构(18)上形成氧化膜(44)；掩模该氧化膜(44)的第一部份(30)同时留下未掩模的第二部分(22)；通过各向同性等离子蚀刻而去除该氧化膜的第二部分(22)以暴露该硅结构(18)的一部分；以及使该氧化膜(44)的第一部份(30)去掉掩模。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||