双位操作的罩幕式只读存储器结构及其制造方法

摘要

一种双位操作的罩幕式只读存储器结构及其制造方法，此存储器结构主要是由一基底、一栅极结构、一双位编码布植区、至少一间隙壁、一埋入式漏极、一绝缘结构以及一字符线所构成。其中，栅极结构配置在基底上，且双位编码布植区配置在栅极结构两侧边底下的基底中。另外，间隙壁是配置在栅极结构的两侧，且埋入式漏极配置在间隙壁两侧的基底中。因此，埋入式漏极与双位编码布植区之间具有一缓冲区。再者，绝缘结构配置在埋入式漏极上方的基底表面，且字符线是配置在栅极结构上。

主权项

1.一种双位操作的罩幕式只读存储器结构，其特征是，该结构包括：一基底；一栅极结构，配置在该基底上；一双位编码布植区，配置在该栅极结构两侧边底下的该基底中；至少一间隙壁，配置在该栅极结构的两侧；一埋入式漏极，配置在该间隙壁两侧的该基底中，其中该埋入式漏极与该双位编码布植区之间具有一缓冲区；一绝缘结构，配置在该埋入式漏极上方的该基底表面上；以及一字符线，配置在该栅极结构的表面上。