| 发明名称 | 一种降低微粒残留及缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 一种降低微粒残留及缺陷的方法。该方法包含下列步骤：提供一半导体芯片，包含至少一具有一第一区域和一第二区域的衬底，其中第一区域以及第二区域的最上方覆盖有一氧化物－氮化物－氧化物(ONO)层，且第二区域的ONO层下方另包含有一氧化层、一第一多晶硅层以及一第二多晶硅层；于ONO层上形成一光致抗蚀剂层，且该光致抗蚀剂层仅覆盖该第一区域；干法蚀刻未被光致抗蚀剂层覆盖的第二区域的ONO层、第二多晶硅层以及第一多晶硅层；去除光致抗蚀剂层；利用一缓冲氧化层蚀刻液，以阶流冲洗方式清洗半导体芯片，以去除氧化层；利用一SC－1溶液，以阶流冲洗方式清洗半导体芯片；以及利用一SC－2溶液，以阶流冲洗方式清洗半导体芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN1459845A | 申请公布日期 | 2003.12.03 |
| 申请号 | CN02120388.1 | 申请日期 | 2002.05.24 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 黄文信;张国华 |
| 分类号 | H01L21/822;H01L21/8239;H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/822 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种具有氧化物-氮化物-氧化物层的半导体元件的制作方法，该制作方法包含有下列步骤：提供一半导体芯片，包含有一具有至少一第一区域以及一第二区域的衬底，其中该第一区域包含有多个电容下层储存电极单元，该第二区域包含有一氧化层、一第一多晶硅层以及一第二多晶硅层；依序于该多个电容下层储存电极单元以及该第二多晶硅层上形成一氧化物-氮化物-氧化物层，具有一上氧化层其厚度约为65埃；于该氧化物-氮化物-氧化物层上形成一光致抗蚀剂层，且该光致抗蚀剂层仅覆盖该第一区域；去除未被该光致抗蚀剂层覆盖的该第二区域的该氧化物-氮化物-氧化物层、该第二多晶硅层以及该第一多晶硅层；去除该光致抗蚀剂层；利用一缓冲氧化层蚀刻液，以阶流冲洗方式清洗该半导体芯片，以去除该氧化层，同时去除一部分该上氧化层；利用一SC-1溶液，以阶流冲洗方式清洗该半导体芯片；以及利用一SC-2溶液，以阶流冲洗方式清洗该半导体芯片。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||