一种用于生产具有双重波纹结构的半导体器件的方法

摘要

在一块半导体基片上形成第一绝缘膜。然后在该第一绝缘膜上形成第一光刻胶。在该第一光刻胶中形成接触孔的图案。然后，以该第一光刻胶为掩膜，对第一绝缘膜进行蚀刻，从而形成接触孔。然后除去该第一光刻胶，并在整个表面上形成有机绝缘膜。另外，在该有机绝缘膜上形成第二绝缘膜。然后，在该第二绝缘膜上形成第二光刻胶。在该第二光刻胶中形成布线沟道的图案。然后，以该第二光刻胶为掩膜，对第二绝缘膜进行蚀刻。然后以该第二绝缘膜为掩膜对该有机绝缘膜进行蚀刻，从而形成布线沟道。

主权项

1.一种用于生产具有双重波纹结构的半导体器件的方法，其特征在于，其中包括如下步骤：在表面上带有器件区域的半导体基片上形成第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成第一光刻胶；通过曝光方法在所述第一光刻胶上形成接触孔的图案；以所述的第一光刻胶作为掩膜对所述第一绝缘膜进行蚀刻以形成接触孔，用于对该器件区域提供电连接；除去所述第一光刻胶；在整个表面上形成有机绝缘膜；在所述有机绝缘膜上形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成第二光刻胶；通过曝光方法在所述第二光刻胶中形成布线沟道的图案；以所述第二光刻胶作为掩膜对所述第二绝缘膜进行蚀刻；以所述第二绝缘膜作为掩膜对所述有机绝缘膜进行蚀刻以形成布线沟道；在所述接触孔和所述布线沟道中嵌入导电层。