发明名称 |
罩幕式只读存储器及其制造方法 |
摘要 |
本发明的罩幕式只读存储器包括:彼此互相平行的第一埋入式N型掺杂层和第二埋入式N型掺杂层、分别与其相对应的第一接触窗和第二接触窗、以及与其垂直的闸极;其中第一埋入式N型掺杂层的第一端延伸至周边电路区,且第一接触窗配置于此;第二埋入式N型掺杂层的第二端亦延伸至周边电路区,且第二接触窗配置于此;第一埋入式N型掺杂层的第一端与第二埋入式N型掺杂层的第一端同侧,且第一埋入式N型掺杂层的第二端与第二埋入式N型掺杂层的第二端同侧。 |
申请公布号 |
CN1459865A |
申请公布日期 |
2003.12.03 |
申请号 |
CN02119729.6 |
申请日期 |
2002.05.14 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
许荣显;曾健庭;周宏昕;陈世雄 |
分类号 |
H01L27/112;H01L21/8246;G11C17/08 |
主分类号 |
H01L27/112 |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
1.一种罩幕式只读存储器,可分为一记忆胞区和一周边电路区,至少包括:一第一埋入式N型掺杂层,位于该记忆胞区,且具有一第一端和一第二端,该第一埋入式N型掺杂层的该第一端延伸至该周边电路区;一第二埋入式N型掺杂层,位于该记忆胞区,且具有与该第一埋入式N型掺杂层的该第一端同一侧的一第一端,以及具有与该第一埋入式N型掺杂层的该第二端同一侧的一第二端,该第二埋入式N型掺杂层的该第二端延伸至该周边电路区,其中该第一埋入式N型掺杂层和该第二埋入式N型掺杂层互相平行;一第一接触窗,位于该第一埋入式N型掺杂层的该第一端;一第二接触窗,位于该第二埋入式N型掺杂层的该第二端;以及一闸极,与该第一和该第二埋入式N型掺杂层垂直。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |