发明名称 | 测量磊晶层厚度的方法 | ||
摘要 | 本发明揭示了一种测量磊晶层厚度的方法。此方法使用一非单晶层于磊晶层形成于底材上之前先形成于底材上,因此磊晶层形成于非单晶层上的部份成为多晶。测量多晶层与非单晶层的厚度以及多晶层加上非单晶层的总厚度与磊晶层的厚度差可得到磊晶层的厚度。磊晶层的厚度等于多晶层加上非单晶层的总厚度减去多晶层加上非单晶层的总厚度与磊晶层的厚度差。此方法在当欲测量的磊晶层的掺杂浓度低于或等于底材的掺杂浓度时特别有用。 | ||
申请公布号 | CN1459618A | 申请公布日期 | 2003.12.03 |
申请号 | CN02146939.3 | 申请日期 | 2002.10.25 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林庆福;曾华洲;杨镫祺 |
分类号 | G01B11/06 | 主分类号 | G01B11/06 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 任永武 |
主权项 | 1.一种测量磊晶层厚度的方法,其特征在于,至少包括下列步骤:提供一底材,该底材上具有一非单晶层,其中该非单晶层仅覆盖该底材一部份;形成一磊晶层覆盖该底材与该非单晶层,其中该磊晶层位于该非单晶层上的部份长成一多晶层;测量该多晶层的厚度与该非单晶层的厚度;及测量该多晶层连同该非单晶层与该磊晶层之间的厚度差,该磊晶层的厚度等于该多晶层连同该非单晶层的总厚度减去该多晶层连同该非单晶层与该磊晶层之间的厚度差。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 |