可均一输入输出数据的非易失性半导体存储装置

摘要

半导体存储装置向存储块内的特定的存储单元进行写入动作时，在施加规定期间写入电压后，采用读出放大器电路及比较器进行校验动作。根据校验动作的结果，判断向存储单元的写入不足时，根据存储控制电路的指示再次进行写入动作。此时，存储控制电路调节写入电压。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，包括：半导体基片，包含行列状配置的非易失性的多个存储单元的多个存储块，与上述多个存储单元的行方向对应地排列的多根字线，与上述多个存储单元的列方向对应地排列的多根位线，在写入动作时对上述多个存储单元进行写入动作的控制电路；上述多个存储单元各自包括：在上述半导体基片的主表面形成，与上述多根位线中对应的位线连接的第1及第2导电区域，绝缘膜，其处于上述半导体基片上，且在上述第1导电区域和上述第2导电区域之间形成，在上述第1导电区域附近具有第1存储区域，上述第2导电区域附近具有第2存储区域；上述控制电路向从上述多个存储单元中选择的存储单元施加1个以上的脉冲电压。