| 发明名称 | 具有改进的磁场范围的磁多层结构 | ||
| 摘要 | 根据需要的，例如在汽车应用中，一种加强的GMR或者TMR效应类型多层结构，其包括自由和固定铁磁性层，具有被描述的广阔的磁场范围。通过使用在交换－偏转人工反铁磁体中的非相邻铁磁性层作为固定层，获得改进。 | ||
| 申请公布号 | CN1460272A | 申请公布日期 | 2003.12.03 |
| 申请号 | CN01801706.1 | 申请日期 | 2001.06.12 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | K·－M·H·伦森;A·E·T·奎珀 |
| 分类号 | H01F10/32;H01L43/08 | 主分类号 | H01F10/32 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁 |
| 主权项 | 1.一种磁致电阻装置，包括支承用来提供磁致电阻效应的自由和固定铁磁层的衬底，所述的固定层包括人造的反铁磁性层系统(AAF)，和交换偏转层，该交换偏转层邻近和磁感应AAF层系统，其中AAF层系统具有大于或等于3的奇数个非相邻的铁磁性层。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||