半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件的制法，它包括，在绝缘表面上形成岛形的含硅半导体膜；在该膜上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成一对栅电极，使半导体膜分别确定一对沟道区、第一杂质区和一对第二杂质区域。所述一对沟道区中的每一个沟道区均介于第一杂质区与一个相邻于一对第二杂质区中的一个区之间；将能促进结晶的催化剂附着在一对第二杂质区上；加热半导体膜至其结晶。晶体生长是从一对第二杂质区通过一对第一杂质区向沟道区生长。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，它包括以下的工艺：在一种绝缘的表面上形成一种岛形的含硅半导体膜；在所述半导体膜上形成一种栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成一对栅电极，以便在所述半导体膜上分别确定一对沟道区域、第一杂质区域和一对第二杂质区域，所述一对沟道区域是在半导体膜中位于所述一对栅电极的正下方，所述第一杂质区域是在半导体膜中，介于所述一对沟道区域之间，所述一对第二杂质区域则与所述一对沟道区域相邻接，其中所述一对沟道区域中的每一个沟道区域均介于所述第一杂质区域与所述一对第二杂质区域中相邻的一个区域之间；将一种能够促进硅结晶的催化剂附着在所述一对第二杂质区域上，其中所述催化剂含有Ni、Fe、Co、Pt、Pd中的至少一种；然后，将所述半导体膜加热至使该半导体膜结晶化，其中，所述晶体生长是从所述一对第二杂质区域通过所述一对沟道区域向着所述第一杂质区域生长。