| 发明名称 | 热稳定的铁电体存储器 | ||
| 摘要 | 提供了一种热稳定的铁电体存储器。该铁电体存储器包括：下部电极；和铁电体层，它形成于下部电极的顶表面上，使具有一介质偏振的定义域被设置为毕特。铁电体层的厚度不大于毕特的尺寸大小。相应地，提供了一种热稳定的、不易失的铁电体存储器，因此得到了一种可靠的存储器，该存储器可以高速、高密度地储存信息并且提高了存储保留。 | ||
| 申请公布号 | CN1459794A | 申请公布日期 | 2003.12.03 |
| 申请号 | CN02155981.3 | 申请日期 | 2002.12.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 洪承范;辛铉正 |
| 分类号 | G11C11/22 | 主分类号 | G11C11/22 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马高平;杨梧 |
| 主权项 | 1.一种铁电体存储器，它包括：下部电极；及铁电体层，它形成于下部电极的顶表面上，使得具有一介质偏振的定义域被设置为毕特，其中，铁电体层的厚度不大于毕特的尺寸大小。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||