发明名称 Process or forming MOS-gated devices having self-aligned trenches
摘要
申请公布号 EP1052690(A3) 申请公布日期 2003.12.03
申请号 EP20000108965 申请日期 2000.04.27
申请人 INTERSIL CORPORATION 发明人 GREBS, THOMAS
分类号 H01L29/749;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L29/749
代理机构 代理人
主权项
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