碲化镉单晶体及碲化镉多晶体,以及其制造方法

摘要

一种CdTe（碲化镉）单晶体，其中藉由使用掺杂50到200ppmwt的氯之CdTe多晶体当作原料，并根据垂直梯度凝固方法、水平梯度凝固方法、垂直Bridgman方法、水平Bridgman方法、及液体密封Czochralski方法中的其中之一生长晶体获得晶体中的氯浓度在0．1及5．0ppmwt之间及室温时的电阻不小于1．0×10^9Ω．cm。