| 主权项 |
1.一种场发射显示器之阴极基板的制造方法,包括下列步骤:在所提供之一基板上依序形成一电阻层、一绝缘层与一闸极导电层;图案化该闸极导电层与该绝缘层,以形成一开口并暴露出该电阻层;在该闸极导电层上形成一第一导电层,并同时在该开口所暴露之该电阻层上形成一导电块状结构;仅在该第一导电层上形成一脱附层;在该脱附层上形成一第二导电层,并同时在该开口中之该导电块状结构上形成一尖端结构;以及去除该脱附层,并同时使该第二导电层脱附。2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该第一导电层之材质包括铌。3.如申请专利范围第2项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该第一导电层之厚度系为3000埃至5000埃。4.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该脱附层之材质包括铝。5.如申请专利范围第4项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该脱附层之厚度系为500埃至1000埃。6.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该第二导电层之材质包括钼。7.如申请专利范围第6项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该第二导电层之厚度系为5000埃至12000埃。8.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中形成该脱附层之方法包括一倾斜蒸镀法。9.如申请专利范围第8项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该倾斜蒸镀法之一倾斜角系为70度至75度。10.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中形成该第一导电层与该第二导电层之方法包括一蒸镀法。11.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中去除该第二导电层并同时使该脱附层脱附之方法,包括利用磷酸以去除该脱附层并同时使该第二导电层剥离而脱附。12.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该闸极导电层之材质包括铌。13.如申请专利范围第12项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该闸极导电层之厚度系为2000埃至4000埃。14.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该绝缘层之材质包括氧化矽。15.如申请专利范围第14项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该绝缘层之厚度系为3000埃至5000埃。16.一种场发射显示器之阴极基板的制造方法,包括下列步骤:在所提供之一基板上依序形成一电阻层、一绝缘层与一闸极导电层;图案化该闸极导电层与该绝缘层,以形成一开口并暴露出该电阻层;进行一第一蒸镀制程,以在该闸极导电层上形成一第一金属层,并同时在该开口所暴露出之该电阻层上形成一金属块状结构;进行一倾斜蒸镀制程,仅在该第一金属层上形成一第二金属层;进行一第二蒸镀制程,以在该第三金属层上形成一第三金属层,并同时在该开口中之该金属块状结构上形成一尖端结构;以及移除该第二金属层与该第三金属层。17.如申请专利范围第16项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该第一金属层之材质包括铌。18.如申请专利范围第17项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该第一金属层之厚度系为3000埃至5000埃。19.如申请专利范围第16项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该第二金属层之材质包括铝。20.如申请专利范围第19项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该第二金属层之厚度系为500埃至1000埃。21.如申请专利范围第16项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该第三金属层之材质包括钼。22.如申请专利范围第21项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该第三金属层之厚度系为5000埃至12000埃。23.如申请专利范围第16项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该倾斜蒸镀法之一倾斜角系为70度至75度。24.如申请专利范围第16项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中移除该第三金属层与该第二金属层之方法包括利用磷酸以去除该第二金属层,并同时使该第三金属层剥离。25.如申请专利范围第16项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该闸极导电层之材质包括铌。26.如申请专利范围第25项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该闸极导电层之厚度系为2000埃至4000埃。27.如申请专利范围第16项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该绝缘层之材质包括氧化矽。28.如申请专利范围第27项所述之场发射显示器之阴极基板的制造方法,其中该绝缘层之厚度系为3000埃至5000埃。图式简单说明:第1A图至第1F图为习知一种场发射显示器之阴极基板的制造流程剖面示意图;以及第2A图至第2F图是依照本发明一较佳实施例之场发射显示器之阴极基板的制造流程剖面示意图。 |
