| 主权项 |
1.一种用于侦测具有垂直式电晶体之动态随机存取记忆体的闸极结构与深沟电容器之重叠偏移的测试元件,系设置于一晶圆之切割道中,上述测试元件包括:一主动区,设置于上述切割道中;一H型深沟电容区,设置于上述主动区中,具有两个第一部分及一第二部分,其中上述两第一部分相互平行,并且各具有一中心位置,上述第二部分系连接上述两第一部分之中心位置;一第一至第四接触垫,分别设置于上述两第一部分之两端上;以及一长条型接触垫,设置于上述两第一部分之间,且具有一中心位置与上述第二部分之中心位置相连接。2.如申请专利范围第1项所述之用于侦测具有垂直式电晶体之动态随机存取记忆体的闸极结构与深沟电容器之重叠偏移的测试元件,其中上述第一至第四接触垫与上述长条型接触垫皆为相同材质所构成。3.如申请专利范围第1项所述之用于侦测具有垂直式电晶体之动态随机存取记忆体的闸极结构与深沟电容器之重叠偏移的测试元件,其中上述第一至第四接触垫与上述长条型接触垫皆由复晶矽材料所构成。4.如申请专利范围第1项所述之用于侦测具有垂直式电晶体之动态随机存取记忆体的闸极结构与深沟电容器之重叠偏移的测试元件,其中上述长条型接触垫系平行于上述H型深沟电容区之第一部分。5.一种用于侦测具有垂直式电晶体之动态随机存取记忆体的闸极结构与深沟电容器之重叠偏移的方法,包括下列步骤:提供一晶圆,上述晶圆至少具有一切割道和一记忆胞区;于上述晶圆之切割道形成一测试元件,并同时于该晶圆之该记忆胞区,形成复数具有垂直式电晶体之记忆胞,其中上述测试元件包括:一主动区,设置于上述切割道中;一H型深沟电容区,设置于上述主动区中,具有两个第一部分及一第二部分,其中上述两第一部分相互平行,并且各具有一中心位置,上述第二部分系连接上述两第一部分之中心位置;一第一至第四接触垫,分别设置于上述两第一部分之两端上;以及一长条型接触垫,设置于上述两第一部分之间,且具有一中心位置与上述第二部分之中心位置相连接;量测上述第一接触垫与上述长条型接触垫间之一第一电阻値;量测上述第二接触垫与上述长条型接触垫间之一第二电阻値;根据上述第一与第二电阻値,估算上述测试元件之矩形长条型接触垫与H型沟槽电容区的重叠偏移程度;以及藉由上述测试元件之矩形长条型接触垫与H型沟槽电容区的重叠偏移程度,估算该记忆胞区之该等记忆胞中之闸结构与沟槽电容器的重叠偏移程度。6.如申请专利范围第5项所述之用于侦测具有垂直式电晶体之动态随机存取记亿体的闸极结构与深沟电容器之重叠偏移的测试方法,其中上述长条型接触垫系距离上述H型深沟电容区之第一部分一既定距离。7.如申请专利范围第5项所述之用于侦测具有垂直式电晶体之动态随机存取记忆体的闸极结构与深沟电容器之重叠偏移的测试方法,更包括若产生偏移时,根据上述第一、第二电阻値、上述既定距离,计算出上述长条型接触垫系距离上述H型深沟电容区之第一部分之一重叠偏移量(L)。8.如申请专利范围第7项所述之用于侦测具有垂直式电晶体之动态随机存取记忆体的闸极结构与深沟电容器之重叠偏移的测试方法,其中上述重叠偏移量系依照下列数学式而求得:L=L*(R1-R2)/(R1+R2);其中R1表示该第一电阻値;R2表示该第二电阻値;以及L表示上述长条型接触垫与H型深沟电容区之第一部分之间的上述既定距离。9.如申请专利范围第5项所述之用于侦测具有垂直式电晶体之动态随机存取记忆体的闸极结构与深沟电容器之重叠偏移的测试方法,其中上述第一至第四接触垫与上述长条型接触垫皆为相同材质所构成。10.如申请专利范围第5项所述之用于侦测具有垂直式电晶体之动态随机存取记忆体的闸极结构与深沟电容器之重叠偏移的测试方法,其中上述第一至第四接触垫与上述长条型接触垫皆由复晶矽材料所构成。11.如申请专利范围第5项所述之用于侦测具有垂直式电晶体之动态随机存取记忆体的闸极结构与深沟电容器之重叠偏移的测试方法,其中上述长条型接触垫系平行于上述H型深沟电容区之第一部分。图式简单说明:第1图系为习知具有垂直式电晶体之DRAM的布局图。第2图系为第1图之具有垂直式电晶体之DRAM的上视图。第3a图为本发明之侦测字元线结构与深沟电容器重叠是否产生偏移之测试元件的布局图。第3b图为本发明之测试元件的示意图。 |
