| 主权项 |
1.一种具有多层内连线结构之基板的形成方法,该基板的形成方法包含:提供一透光操作基板(Handle Substrate);形成一黏性光分解介电层于该操作基板上;形成一多层内连线结构于该黏性光分解介电层上,该多层内连线结构之表面具有复数个焊垫;形成一黏性结合膜于该多层内连线结构上;图案化该黏性结合膜以暴露出该多层内连线结构表面之该复数个焊垫;提供一载台基板(Carrier Substrate),该载台基板设有突出表面之复数个导体;藉由焊接分别结合该复数个焊垫与该载台基板上之该复数个导体,以结合该多层内连线结构与该载台基板;分解该黏性光分解介电层;移除该操作基板;及移除该黏性光分解介电层。2.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该操作基板包含一石英基板。3.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该操作基板包含一玻璃基板。4.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该黏性光分解介电层包含一离形膜。5.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该多层内连线结构系以薄膜电晶体液晶显示器(TFT-LCD)技术之沈积、微影与蚀刻制程形成。6.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该黏性结合膜包含一半固化膜(Semi-Cured Film)。7.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该载台基板包含一印刷电路板。8.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该导体包含焊膏(Solder Paste)。9.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该导体包含金属凸块(Metal Bump)。10.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该导体包含表面镀着金属(Metal Surface Coating)。11.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该黏性光分解介电层系以紫外线分解。12.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该黏性光分解介电层系以雷射光束分解。13.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该黏性光分解介电层系以蚀刻法移除。14.如申请专利范围第1项所述之基板的形成方法,其中上述之该多层内连线结构中内嵌有至少一被动元件。15.一种具有多层内连线结构之基板的形成方法,该基板的形成方法包含:提供一透光操作基板(Handle Substrate);形成一黏性光分解介电层于该操作基板上;形成一多层内连线结构于该黏性光分解介电层上,该多层内连线结构之表面具有复数个焊垫;提供一载台基板(Carrier Substrate),该载台基板设有突出表面之复数个导体;形成一图案化之黏性结合膜于该载台基板表面,并暴露出该载台基板表面之该复数个导体;藉由焊接分别结合该复数个焊垫与该载台基板上之该复数个导体,以结合该多层内连线结构与该载台基板;分解该黏性光分解介电层;移除该操作基板;及移除该黏性光分解介电层。16.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该操作基板包含一石英基板。17.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该操作基板包含一玻璃基板。18.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该黏性光分解介电层包含一离形膜。19.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该多层内连线结构系以薄膜电晶体液晶显示器(TFT-LCD)技术之沈积、微影与蚀刻制程形成。20.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该黏性结合膜包含一半固化膜(Semi-Cured Film)。21.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该载台基板包含一印刷电路板。22.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该导体包含焊膏(Solder Paste)。23.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该导体包含金属凸块(MetalBump)。24.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该导体包含表面镀着金属(MetalSurface Coating)。25.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该黏性光分解介电层系以紫外线分解。26.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该黏性光分解介电层系以雷射光束分解。27.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该黏性光分解介电层系以蚀刻法移除。28.如申请专利范围第15项所述之基板的形成方法,其中上述之该多层内连线结构中内嵌有至少一被动元件。图式简单说明:第一图显示一覆晶封装结构;第二A图显示一具有一基底材料之操作基板;第二B图显示一多层内连线结构形成于基底材料上的结果;第二C图显示形成一结合膜于多层内连线结构上,接着被图案化以暴露出焊垫的结果;第二D图显示晶片载台基板与多层内连线结构焊接结合的结果;第二E图显示将操作基板与基底材料移除,形成一具有多层内连线结构的复合基板的结果;及第二F图显示将第二E图所示复合基板与一半导体晶片结合的结果。 |
