| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其系含有用以制造在同一晶圆上形成含有于第1电路区域中之电晶体的薄膜闸极绝缘膜、与较该薄膜闸极绝缘膜膜厚更厚的含有于第2电路区域中之电晶体的厚膜闸极绝缘膜之双氧化物制程者;其特征在于,在上述第1电路区域中,形成含有由下方起依序为氧化膜与CVD氮化膜所叠合而成的具有2层构造之薄膜闸极绝缘膜的电晶体;且在第2电路区域中,形成含有使用较上述第1电路区域的电晶体更高的驱动电压,并具有较上述薄膜闸极绝缘膜之膜厚较厚的纯的氧化膜之厚膜闸极绝缘膜的电晶体。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其系具备有:于在上述第1电路区域的活性区域上形成上述2层构造之同时,使上述第2电路区域的活性区域露出之第1步骤;于经由使上述CVD氮化膜的上表面热氧化,形成由构成上述薄膜闸极绝缘膜之氧化膜、CVD氮化膜及氮化氧化膜所构成的闸极绝缘膜部之同时,经由使上述第2电路区域进行热氧化,形成由构成上述厚膜闸极绝缘膜之纯的氧化膜所构成之闸极绝缘膜部之第2步骤。3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其系含有:分别在上述第1电路区域的活性区域上及上述第2电路区域的活性区域上形成上述2层构造之步骤;将上述第2电路区域的活性区域上的上述2层构造之各层除去之步骤。4.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中,上述第1步骤,系含有:分别在上述第1电路区域的活性区域上及上述第2电路区域的活性区域上,形成由氧化膜、沈积于该氧化膜上之CVD氮化膜、与沈积于该CVD氮化膜上之氧化膜所构成的3层构造之步骤;于上述第1电路区域的上述3层构造之中单独将上述氮化氧化膜除去之步骤;与将上述第2电路区域的上述3层构造的各层除去之步骤。图式简单说明:图1为用以说明实施形态1的半导体装置之构造的图。图2为用以说明实施形态1的半导体装置之制造方法的图。图3为用以说明实施形态1的半导体装置之制造方法的图。图4为用以说明实施形态1的半导体装置之制造方法的图。图5为用以说明实施形态1的半导体装置之制造方法的图。图6为用以说明实施形态2的半导体装置之制造方法的图。图7为用以说明实施形态2的半导体装置之制造方法的图。图8为用以说明实施形态2的半导体装置之制造方法的图。图9为用以说明实施形态2的半导体装置之制造方法的图。图10为用以说明实施形态2的半导体装置之制造方法的图。图11为用以说明习知的半导体装置之制造方法的图。图12为用以说明习知的半导体装置之制造方法的图。图13为用以说明习知的半导体装置之制造方法的图。图14为用以说明习知的半导体装置之制造方法的图。图15为用以说明习知的半导体装置之制造方法的图。 |
