发明名称 基板处理装置
摘要 一种基板处理装置,其藉由供应处理液以处理诸如半导体晶圆之基板,该基板处理装置包括用于保持及旋转基板之基板保持器、藉由供应处理液至该基板之下表面以处理该基板之下表面的下表面处理单元、以及藉由供应处理液至该基板之外周缘以处理该基板之外周缘的外周缘处理单元,该基板处理装置复包括气体供应单元以供应气体至该基板之上表面。本案代表图:第1图1 基板保持器 2 下表面处理单元3 外周缘处理单元 4 处理液供应单元5 气体供应单元 6 处理液回收单元14 第一面构件 14a 平面15 处理液通道 16 处理液容器17 阀18a、18b、18c、18d、18e 管件19 过滤器 20 加热装置21 纯水供应通道 22 第一纯水喷射装置23 第二纯水喷射装置 25 处理转子31 第二面构件 32 气体通道35 倾斜的回收板 36 气液分离器37 第一方向控制阀 38 第二方向控制阀39 气体排放埠 40 排水埠50 矩形壁 A、B 箭头 W基板/晶圆
申请公布号 TW564474 申请公布日期 2003.12.01
申请号 TW091123665 申请日期 2002.10.15
申请人 荏原制作所股份有限公司 发明人 伊藤贤也;龟泽正之;井上雄贵;木原幸子
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路八十号六楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路八十号六楼
主权项 1.一种基板处理装置,包括:基板保持器,用于保持及旋转基板;下表面处理单元,藉由供应处理液至由该基板保持器所保持的基板之下表面,以处理该基板之下表面;外周缘处理单元,藉由供应处理液至由该基板保持器所保持的基板之外周缘,以处理该基板之外周缘;以及气体供应单元,供应气体至由该基板保持器所保持的基板之上表面。2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,该基板处理装置复包括处理液供应单元,以供应处理液至该下表面处理单元以及该外周缘处理单元。3.如申请专利范围第1或第2项之基板处理装置,其中,该基板保持器包括复数个用于接触该基板之外周面的旋转转子以及用于旋转至少一个旋转转子之致动器。4.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,该下表面处理单元包括第一面构件以及处理液通道,该第一面构件具有面对由该基板保持器所保持之基板上表面的平面,而该处理液通道形成于该第一面构件内,而开通至第一面构件之平面。5.如申请专利范围第4项之基板处理装置,其中,该第一面构件与由该基板保持器所保持之基板彼此相隔范围在0.5公厘至4公厘之距离。6.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,该外周缘处理单元系可朝由该基板保持器所保持之基板移动,并可从由该基板保持器所保持之基板移开。7.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,该外周缘处理单元以包括具有凹槽之可转动处理转子,而该凹槽系形成于该可转动处理转子之外周面,以围绕藉由该基板保持器所保持之基板的外周缘。8.如申请专利范围第2项之基板处理装置,其中,该处理液供应单元包括用以储存其内之处理液的处理液容器、用以加热从该处理液容器所供应之处理液的加热装置、以及用以循环于该处理液容器与该加热装置之间的处理液之循环装置。9.如申请专利范围第2项之基板处理装置,其中,该气体供应单元包括第二面构件以及气体供应装置,其设置该第二面构件以便面向藉由该基板保持器所保持之基板的上表面,而该气体供应装置则供应气体至形成于由该基板保持器所保持之基板与该第二面构件之下表面之间的空间中。10.如申请专利范围第9项之基板处理装置,其中,该第二面构件为圆形并且其直径略小于该基板之直径。11.如申请专利范围第9或第10项之基板处理装置,其中该第二面构件与由该基板保持器所保持之基板彼此相隔范围在0.5公厘至5公厘之距离。12.如申请专利范围第2项之基板处理装置,复包括:处理液回收单元,其用以回收已供应至该下表面处理单元以及该外周缘处理单元之处理液,并供应所回收的处理液至该处理液供应单元。13.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,该处理液包括蚀刻液。图式简单说明:第1图为根据本发明之实施例的基板处理装置之横断面图,其中部份以方块形式表示;第2图为根据本发明之实施例的基板处理装置之平面图;第3A图为根据本发明之实施例的处理单元之放大正视图,该处理单元用于处理在该基板处理装置中之外周缘;第3B图为根据本发明之实施例中藉由该基板处理装置处理的基板外周缘之放大断面图;以及第4图为根据本发明之实施例中结合该基板处理装置的基板处理系统之平面图。
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