预清室之矽化物清除方法

摘要

一种预清室之矽化物清除方法，系包含一氟化物导入步骤、一电浆形成步骤、及一抽离步骤，其系藉由一氟化物来产生电浆，并使氟化物之电浆与已形成于钟型缸上之矽化物层反应，再将反应物加以抽离，以有效、快速清除钟型缸内之矽化物。

主权项

1.一种预清室之矽化物清除方法,其中预清室系包含一钟型缸,矽化物系形成于该钟型缸内,该预清室之矽化物清除方法系包括:一氟化物导入步骤,系将一氟化物导入于该预清室中;一电浆形成步骤,系于该预清室中将该氟化物解离为电浆,以使其与该预清室之钟型缸内的矽化物反应;及一抽离步骤,系将该氟化物之电浆与矽化物反应后之反应物自该预清室中抽离,据以清除该预清室之钟型缸内的矽化物。2.如申请专利范围第1项所述之预清室之矽化物清除方法,其中该预清室为物理气相沉积装置之预清室。3.如申请专利范围第1项所述之预清室之矽化物清除方法,其中该氟化物系藉由无线电波波频作用来形成电浆。4.如申请专利范围第1项所述之预清室之矽化物清除方法,其中该氟化物为NF3。5.如申请专利范围第1项所述之预清室之矽化物清除方法,其中该反应物为SiF4。图式简单说明:图1系习知物理气相沉积装置之主要部分的示意图。图2系习知预清室的部分分解图及真空帮浦的示意图。图3系利用本发明之预清室之矽化物清除方法之一实施例的示意图,图中所示者为一PVD装置之要部的简单示意图。