| 主权项 |
1.一种整合积体电路元件之微机电系统制程,包括下列步骤:提供一基板,具有一积体电路(IC)元件区以及一微机电系统(MEMS)元件区,其中该积体电路元件区形成有一积体电路元件;沉积一绝缘层于该积体电路元件区以及该微机电系统元件区上;蚀刻该绝缘层,以在该积体电路元件区形成复数个导孔;形成一结构层于该微机电系统元件区上;沉积一金属层于该基板并填入该等导孔内;形成一热电阻于该微机电系统元件区,并与该金属层直接接触;以及蚀刻该金属层以定义一金属线路。2.如申请专利范围第1项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该积体电路元件区包含一互补式金氧半导体电晶体(CMOS)。3.如申请专利范围第1项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该绝缘层系硼矽酸磷玻璃(BPSG)或磷玻璃(PSG)。4.如申请专利范围第3项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,更包括一快速热制程(RTP),以对该绝缘层进行退火。5.如申请专利范围第1项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该绝缘层厚度为6500~11000。6.如申请专利范围第1项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该微机电系统元件区包括有一微机电元件。7.如申请专利范围第6项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该微机电元件系一微喷嘴或微机电开关。8.如申请专利范围第1项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该结构层系Si3N4,且厚度为10000。9.如申请专利范围第1项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该热电阻系TiN或TaAl。10.如申请专利范围第1项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中在该热电阻形成步骤中,包含:沉积该热电阻之材料层于该微机电元件区,并直接与该金属层接触;以及对该热电阻之材料层进行乾蚀刻。11.如申请专利范围第10项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该热电阻材料层以化学气相沉积或是物理气相沉积方式形成。12.如申请专利范围第10项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该热电阻材料层厚度为100nm~300nm。13.一种整合积体电路元件之微机电系统制程,包括下列步骤:提供一基板,具有一积体电路(IC)元件区以及一微机电系统元件区,其中该积体电路元件区形成有一积体电路元件;沉积一绝缘层于该积体电路元件区以及该微机电系统元件区上;蚀刻该绝缘层,以在该积体电路元件区形成复数个导孔;形成一结构层于该微机电系统元件区上;沉积一金属层于该基板并填入该等导孔内;形成一热电阻于该微机电系统元件区,并与该金属层直接接触;以及蚀刻该金属层以定义一金属线路,其中,该热电阻系以TiN或是TaAl,且该热电阻之厚度约为100 ~ 300nm;以及蚀刻该金属层以定义一金属线路。14.如申请专利范围第13项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该积体电路元件区包含一互补式金氧半导体电晶体(CMOS)。15.如申请专利范围第13项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该绝缘层系硼矽酸磷玻璃(BPSG)或磷玻璃(PSG)。16.申请专利范围第15项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,更包括一快速热制程(RTP),以对该绝缘层进行退火。17.如申请专利范围第13项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该绝缘层厚度为6500~11000。18.如申请专利范围第13项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该微机电系统元件区包括有一微机电元件。19.如申请专利范围第18项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该微机电元件系一微喷嘴或微机电开关。20.如申请专利范围第13项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该结构层系Si3N4,且厚度为10000。21.如申请专利范围第13项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中在该热电阻形成步骤中,包含:沉积该热电阻之材料层于该微机电元件区,并直接与该金属层接触;以及对该热电阻之材料层进行乾蚀刻。22.如申请专利范围第21项所述之整合积体电路元件之微机电系统制程,其中该热电阻材料层以化学气相沉积或是物理气相沉积方式形成。图式简单说明:第1图为习知微机电元件中,使用有热电阻之局部剖面图;第2~7图,系以制作微机电喷嘴为例之本发明实施例制程示意图;第8图为第7图之上视图;第9图为第8图沿B-B线之剖面图。 |
