发明名称 气体放电显示面板之制造方法、支持台及支持台之制造方法
摘要 本发明之气体放电显示面板之制造方法具有将电极、介电体层、隔壁及萤光体层之其中任何材料配置于基板上之配置步骤、以及将形成前述配置之前述基板积载于支持台而烧成的烧成步骤,前述支持台于积载前述基板的上面具有从前述基板所覆盖之被覆领域跨至前述基板未覆盖之露出领域之至少一个沟。
申请公布号 TW564455 申请公布日期 2003.12.01
申请号 TW091111442 申请日期 2002.05.29
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 米原浩幸;青木正树;住田圭介;藤谷守男;芦田英树;植村贞夫
分类号 H01J11/00 主分类号 H01J11/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种气体放电显示面板之制造方法,其特征在于:具有将电极、介电体层、隔壁及萤光体层之其中任何材料配置于基板上之配置步骤、及将形成前述配置之前述基板积载于支持台而烧成的烧成步骤,且前述支持台于积载前述基板的上面具有从前述基板所覆盖之被覆领域跨至前述基板未覆盖之露出领域之至少一个沟。2.如申请专利范围第1项之气体放电显示面板之制造方法,其中,前述沟为多数而分散于前述被覆领域中来配置。3.如申请专利范围第2项之气体放电显示面板之制造方法,其中,前述烧成使用连续烧成炉,而前述多数沟相对于前述烧成炉之搬送方向约垂直地配置。4.如申请专利范围第2项之气体放电显示面板之制造方法,其中,前述烧成使用连续烧成炉,而前述多数沟相对于前述烧成炉之搬送方向约平行地配置。5.如申请专利范围第2项之气体放电显示面板之制造方法,其中,前述多数的沟相对于前述被覆领域之中心点或中心线,约对称地配置。6.如申请专利范围第2项之气体放电显示面板之制造方法,其中,设成前述形成积载时,前述被覆领域内之前述基板与前述支持台未接触之非接触领域的面积设成该基板面积之10百分比以上70百分比以下。7.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项之气体放电显示面板之制造方法,其中,前述支持台以玻璃为主成分之材料所构成。8.如申请专利范围第7项之气体放电显示面板之制造方法,其中,前述沟之深度为0.05mm以上2.0mm以下,且前述沟之宽幅设在5mm以上200mm以下。9.一种气体放电显示面板之制造方法,其特征在于:具有将电极、介电体层、隔壁及萤光体层之其中任何材料配置于基板上之配置步骤、及将形成前述配置之前述基板积载于支持台而烧成的烧成步骤,且,前述支持台于形成前述积载时,具有多数从前述基板所覆盖之上面部分通过该支持台之下面的贯通孔。10.一种支持台,系于烧成形成气体放电显示面板之底板之基板上所配置之材料的步骤中,于烧成成为前述配置之前述基板时用以积载者,其特征在于:前述支持台于积载前述基板之上面形成前述积载的情形下,至少具有从前述基板所覆盖之被覆领域涵跨前述基板未覆盖之露出领域之一个沟。11.如申请专利范围第11项之支持台,其中,前述沟为多数而分散于前述被覆领域中来配置。12.如申请专利范围第11项之支持台,其中,前述烧成使用连续烧成炉,而前述多数沟相对于前述烧成炉之搬送方向约垂直地配置。13.如申请专利范围第11项之支持台,其中,前述烧成使用连续烧成炉,而前述多数沟相对于前述烧成炉之搬送方向约平行地配置。14.如申请专利范围第11项之支持台,其中,前述多数的沟相对于前述被覆领域之中心点或中心线,约对称地配置。15.如申请专利范围第11项之支持台,其中,设成前述形成积载时,前述被覆领域内之前述基板与前述支持台未接触之非接触领域的面积设成该基板面积之10百分比以上70百分比以下。16.如申请专利范围第10.11.、12.13.14或15项之支持台,其中,前述支持台以玻璃为主成分之材料所构成。17.如申请专利范围第16项之支持台,其中,前述沟之深度为0.05mm以上2.0mm以下,且前述沟之宽幅设在5mm以上200mm以下。18.一种支持台,系于烧成形成气体放电显示面板之底板之基板上所配置之材料的步骤中,于烧成成为前述配置之前述基板时用以积载者,其特征在于:前述支持台于形成前述积载时,从前述基板所覆盖之上面通过该支持台之下面的多数贯通孔。19.一种支持台之制造方法,系于烧成形成气体放电显示面板之底板之基板上所配置之材料的步骤中,于烧成成为前述配置之前述基板时用以积载者,其特征在于:具有于前述支持台成为底板之平板上面形成前述积载的情形下,至少具有从前述基板所覆盖之被覆领域涵跨前述基板未覆盖之露出领域之一个沟的步骤。20.如申请专利范围第19项之支持台之制造方法,其中,设成前述形成积载时,前述被覆领域内之前述基板与前述支持台未接触之非接触领域的面积设成该基板面积之10百分比以上70百分比以下。21.如申请专利范围第20项之支持台之制造方法,其中,前述沟形成步骤,系藉着喷砂法而削除前述上面部分,藉此生成前述沟。22.如申请专利范围第20项之支持台之制造方法,其中,前述沟形成步骤,系藉着化学性的蚀剂法而溶掉前述上面部分而生成前述沟。23.如申请专利范围第20项之支持台之制造方法,其中,前述沟形成步骤,系藉着溶射法在前述上面部分将材料积层于应配置沟之之领域外的领域而设置凸部,藉此形成前述沟。24.一种支持台之制造方法,系于烧成形成气体放电显示面板之底板之基板上所配置之材料的步骤中,于烧成成为前述配置之前述基板时用以积载者,其特征在于:具有于前述支持台成为底板之平板形成前述积载的情形下,至少具有从前述基板所覆盖之被覆领域涵跨前述基板未覆盖之露出领域之一个沟的步骤。图式简单说明:第1图表示一般性的交流型(AC型)PDP之一例的概略图。第2图表示电浆显示器显示装置之构成。第3图表示烧成步骤之玻璃基板及支持板之状态。第4图系说明载置于载板上之玻璃基板的移动。第5图表示本发明之实施样态之载板形状。第6图表示烧成步骤之温度截面之一例。第7图表示载板之形状所构成之效果。第8图(a)~(e)表示本发明之实施样态之载板的制造步骤。第9图表示本发明之实施样态之载板形状之其他变化。第10图表示本发明之实施样态之载板形状之其他变化。第11图表示本发明之实施样态之载板形状之其他变化。第12图表示本发明之实施样态之载板形状之其他变化。第13图表示本发明之实施样态之载板形状之其他变化。
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