| 摘要 |
<p>본 발명은 질소계 라디칼을 콘택 영역 내에 주입하여 콘택 영역 내 층간 절연막 측벽에 질화막 배리어를 형성시킴으로써 금속 이온의 재증착(redeposition)으로 인한 저유전 층간 절연막의 열화와 반응 세정시 활성화된 수소 라디칼에 의한 저유전 층간 절연막의 열화를 동시에 방지하여 층간 절연막의 저유전 특성을 유지하도록 하는 금속 배선의 콘택 영역 세정 방법에 관한 것으로, 기판 상에 금속 배선 및 층간 절연막을 차례로 증착하는 단계와, 상기 층간 절연막을 선택적으로 제거하여 콘택 영역을 형성하는 단계와, 상기 콘택 영역 내에 질소계 라디칼을 주입시켜 상기 층간 절연막 측벽에 질화막 배리어를 형성시키는 단계와, 상기 콘택 영역 내에 아르곤 이온을 스퍼터링하여 금속 배선의 표면 잔류물을 제거하는 단계와, 상기 콘택 영역 내에 반응 세정을 하여 노출된 금속 배선 상에 형성된 금속 산화막을 제거하는 단계와, 상기 콘택 영역 내에 질소계 라디칼을 이용한 플라즈마 표면 처리를 하여 상기 층간 절연막 측벽에 흡착된 수소계의 반응 부산물을 제거하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.</p> |
