| 摘要 |
EN UN PROCESO DE DEPOSICION POR DESCARGA DE INCANDESCENCIA PARA LA PREPARACION DE ALEACIONES SEMICONDUCTORAS DEL GRUPO IV, HIDROGENADAS, EL SUSTRATO SE MANTIENE A UNA TEMPERATURA QUE SE CORRELACIONA POSITIVAMENTE CON LA VELOCIDAD DE DEPOSICION Y QUE ES SUFICIENTEMENTE ALTA PARA IMPARTIR UNA ENERGIA CINETICA A LA CAPA PARA ACTIVAR LA ELIMINACION DE MORFOLOGIA INDESEABLES., PERO SUFICIENTEMENTE BAJA PARA EVITAR LA DEGRADACION DE LA CAPA CAUSADA POR LA PERDIDA EXCESIVA DE HIDROGENO. |
