| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur du type SOI-LDMOS dans lequel la plaque de champ est divisée en une pluralité de sous-plaques de champ électriquement isolées. Au moins deux des sous-plaques de champ divisées sont reliées aux circuits externes afin de permettre la lecture de leurs tensions de sortie respectives. En reliant un premier circuit externe et un second circuit externe comportant des composants spécifiques, on configure l'un pour déterminer une tension de sortie instantanée et l'autre pour déterminer un changement dans la tension de sortie en fonction du temps. L'alimentation du dispositif à semiconducteur est coupée si la tension instantanée ou la dérivée temporelle de la tension dépasse une valeur établie.</p> |
