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Die Erfindung betrifft einen Temperatursensor für eine MOS-Schaltungsanordnung, bei der Gate eines MOS-Transistors (1) als Zweipol mit Gate-Eingang (Gin) und Gate-Ausgang (Gout) ausgebildet ist. Durch Messung des Spannungsabfalls über Gate (G) kann die Temperatur an dessen Ort bestimmt werden.
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