Verfahren zur Passivierung der Spiegelflächen von optischen Halbleiterbauelementen

摘要

Ziel des Verfahrens ist eine Vereinfachung bisher bekannter Passivierungsverfahren. DOLLAR A Nach dem Verfahren werden die Halbleiterbauelemente erwärmt und unter Hochvakuum mit einem gasförmigen, reaktiven und niederenergetischen Medium gereinigt und in-situ wird eine geschlossene, isolierende oder niedrigleitende, lichtdurchlässige Schutzschicht aufgebracht, die in Bezug auf das Material an der Spiegelfläche sowie verbliebener Komponenten des Eigenoxids inert ist. DOLLAR A In einer bevorzugten Realisierung ist das optische Halbleiterbauelement ein GaAs-basierender Halbleiterlaser, das reaktive und niederenergetische Medium ist atomarer Wasserstoff und die Schutzschicht besteht aus ZnSe.