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发明名称
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON GRABEN-DMOS-TRANSISTOREN MIT EINEM SELBSTJUSTIERTEN KONTAKT
摘要
申请公布号
DE69630430(D1)
申请公布日期
2003.11.27
申请号
DE19966030430
申请日期
1996.05.01
申请人
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., SUNNYVALE
发明人
HEBERT, FRANCOIS;BENCUYA, IZAK;KWAN, SZE-HON
分类号
H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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