TRENCH MOSFET WITH FIELD RELIEF FEATURE,申请号US2003015117-传众专利搜索

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发明名称	TRENCH MOSFET WITH FIELD RELIEF FEATURE
摘要	<p>A trench MOS-gated semiconductor device that includes field relief regions (12) formed below its base (3) to improve its breakdown voltage, and method for its manufacturing.</p>
申请公布号	WO2003098663(P1)	申请公布日期	2003.11.27
申请号	US2003015117	申请日期	2003.05.14
申请人		发明人
分类号		主分类号
代理机构		代理人
主权项
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