| 摘要 |
Zur Integration eines npn-Bipolartransistors mit einem Heterobipolartransistor wird nach einer Strukturierung (320) einer Kollektorstruktur für beide Transistortypen eine Platzhalterschicht in einem Basisbereich des Heterobipolartransistors erzeugt (322), wobei die Platzhalterschicht in einem Basisbereich des Bipolartransistors nicht vorhanden ist. Nach einer Erzeugung (324) der Basis des Bipolartransistors wird die Basis des Bipolartransistors abgedeckt (326), woraufhin die Platzhalterschicht entfernt wird und die Basis (328) des Heterobipolartransistors dort erzeugt wird, wo die Platzhalterschicht entfernt worden ist. Die Emitterstruktur wird wieder für beide Transistortypen gleich erzeugt (330), so daß sich eine integrierte Schaltung ergibt, die Bipolartransistoren und Heterobipolartransistoren umfaßt, deren Kollektorstrukturen und/oder deren Emitterstrukturen aus identischen Herstellungsschichten bestehen. Damit können platzsparende und preisgünstige integrierte Schaltungen hergetellt werden, die von den Vorteilen beider Transistortypen profitieren.
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