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Bei einem Halbleiterlaser, in welchem eine Modulationsdotierung an einer aktiven Schicht einer Mehrfachquantenmuldenstruktur durchgeführt wird, werden der Emissionswirkungsgrad und ein Modulationsband hinreichend verbessert. Ein Halbleiterlaser weist eine aktive Schicht auf, welche zwischen einer p-Typ-Abdeckschicht und einer n-Typ-Abdeckschicht ausgebildet ist. Die aktive Schicht weist mehrfache Quantenmulden auf, welche eine Mehrzahl von Sperrschichten und Muldenschichten aufweisen, und eine Modulationsdotierung vom p-Typ wird an wenigstens einer der Sperrschichten ausgeführt. Insbesondere ist eine Menge einer Modulationsdotierungssubstanz vom p-Typ der Sperrschicht an einer Stelle, welche nahe der p-Typ-Abdeckschicht liegt, kleiner als die an einer Stelle, welche nahe der n-Typ-Abdeckschicht liegt. Daher können Differenzverstärkung und schnelles Ansprechen bei gleichzeitigem Unterdrücken nichtluminoser Rekombination verbessert werden. Gleichzeitig kann, da die Konzentration der Löcher in einer von der p-Typ-Abdeckschicht entfernt liegenden Muldenschicht hoch ist, auch eine Nichteinheitlichkeit von Trägern verbessert werden.
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