降低随机存取存储器的周边接触窗高宽比的方法

摘要

一种降低随机存取存储器的周边接触窗高宽比的方法，包括下列步骤：a、形成多晶硅层、电容及一氮化物层于一半导体基板上；b、再沉积一多晶硅层；c、沉积一氧化物层于步骤(b)的多晶硅层上；d、显影一第一光刻胶层于氧化物层的预定位置；e、蚀刻未受光刻胶层保护部份；f、去除光刻胶层；g、显影一第二光刻胶层于氧化物层的预定位置；h、蚀刻未受光刻胶层保护部份；I、金属化经被蚀刻部份形成周边接触窗；J、形成一堆叠接触窗在上述接触窗上。

主权项

1、一种降低随机存取存储器的周边接触窗高宽比的方法，其特征在于，包括下列步骤：(a)沉积一层第一多晶硅层于半导体基板上；(b)沉积一氮化物层于该第一多晶硅层上；(c)形成若干个电容结构于该氮化物层上；(d)沉积一层第二多晶硅层于该半导体基板上；(e)沉积一氧化物层于该步骤(d)所沉积的第二多晶硅层上；(f)显影一第一光刻胶层于该氧化物层的预定位置上，以形成定义该周边接触窗的半导体基板部分；(g)蚀刻该半导体基板上未受该第一光刻胶层保护的部份；(h)去除该第一光刻胶层；(i)显影一第二光刻胶层于该氧化物层的预定位置上，以曝露欲形成该周边接触窗的半导体基板部分；(j)蚀刻该半导体基板上未受该第二光刻胶层保护的部份；(k)金属化经该(i)步骤所蚀刻的部份以形成周边接触窗；及(l)形成一堆叠接触窗于步骤(k)所形成的周边接触窗上。