发明名称 低水峰光纤预制件的制造方法
摘要 本发明是一种低水峰光纤预制件的制造方法,可进一步降低光纤预制件中OH含量,它包括制备芯棒松散体、氯气干燥、芯棒松散体烧结、拉伸成玻璃体芯棒、包覆二氧化硅包层,多孔玻璃预制件干燥、烧结步骤,其特征是在芯棒松散体采用氯气干燥和芯棒松散体烧结步骤之间对芯棒松散体进行同位素D-H交换干燥步骤和二次氯气(Cl<SUB>2</SUB>)干燥步骤,同位素D-H交换干燥在烧结炉内进行,在炉内通入重水(D<SUB>2</SUB>O)气体和氘气(D<SUB>2</SUB>)中的至少一种。采用本方法能制备1383nm波长下光衰减小于0.32dB/km的低水峰光纤预制件,本方法实施起来十分经济,而且在实施时不会额外产生对环境不友好的废弃物。
申请公布号 CN1458099A 申请公布日期 2003.11.26
申请号 CN03128870.7 申请日期 2003.05.23
申请人 杭州富通昭和光通信股份有限公司 发明人 邓海鹰;杨军勇;吴兴坤;陈剑;儿玉喜直
分类号 C03B37/012;C03B37/018;C03B20/00;G02B6/00 主分类号 C03B37/012
代理机构 浙江翔隆专利事务所 代理人 沈绿怡;祝耀坤
主权项 1、一种低水峰光纤预制件的制造方法,它包括以下步骤:(1)制备芯棒松散体,(2)芯棒松散体采用氯气(Cl2)或亚硫酰氯(SOCl2)干燥,(3)芯棒松散体烧结、拉伸成玻璃体芯棒,(4)在玻璃体芯棒的外表面包覆二氧化硅包层,形成多孔玻璃预制件,(5)多孔玻璃预制件干燥,(6)多孔玻璃预制件烧结成光纤预制件,其特征是在芯棒松散体采用氯气(Cl2)或亚硫酰氯(SOCl2)干燥步骤后对芯棒松散体进行同位素D-H交换干燥步骤,同位素D-H交换干燥在烧结炉内进行,在烧结炉的气体入口处通入重水(D2O)气体和氘气(D2)中的至少一种,炉内温度保持在1200℃~1300℃,干燥60~360分钟。
地址 311422浙江省富阳市银湖开发区