| 发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造一具有源极/漏极延伸区与源极/漏极区的金氧半导体结构的方法，包括在半导体基底上形成一碱性抗反射层，在该抗反射层上形成一光阻层。曝光此一光阻层而将一图案转移至该光阻层上，并显影该已曝光的光阻层，而在形成源极/漏极区的区域上方形成一开口，并且在光阻图案底部转角处形成一足形结构的光阻图案。以此光阻图案为罩幕进行一离子植入，以同时形成一源极/漏极延伸区与一源极/漏极区。 | ||
| 申请公布号 | CN1458670A | 申请公布日期 | 2003.11.26 |
| 申请号 | CN02119839.X | 申请日期 | 2002.05.15 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林顺利;杨俊仪 |
| 分类号 | H01L21/265;H01L21/335;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/265 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种在一半导体元件中形成一源极/漏极延伸区与一源极/漏极区的方法，其特征为：包括下列步骤：在一基底上形成一图案层，在该图案层的底部角落具有一足形结构；以及将离子引入该基底中以同时形成一源极/漏极延伸区与一源极/漏极区。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||