发明名称 | 一种片上两路电源自动切换低功耗晶体振荡器 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种应用于片上两路电源自动切换的低功耗晶体振荡器,包括稳压电路、振荡器、振荡检测电路,稳压电路中,增强型PMOS管(P1、P2)组成恒流源闭合回路,P1管源极和P2管源极接主电源或从电源(VDD),增强型NMOS管(N0)作为反馈管,其源极与P1管漏极连接,其特征在于:增强型NMOS管(N1、N2)组成另一个恒流源闭合回路,N1、N2管栅极相连,P2管漏极接N2管漏极,P1管漏极接N1管漏极。本实用新型的有益效果是由于用标准的增强型NMOS管代替现有技术中非标准件耗尽型NMOS管,而非标准件耗尽型NMOS管的制作须用到特殊的工艺增加掩模板,所以可以大大降低集成生产成本,而电源输入端反馈管的应用则可进一步增强稳压作用。 | ||
申请公布号 | CN2588659Y | 申请公布日期 | 2003.11.26 |
申请号 | CN02288479.3 | 申请日期 | 2002.12.19 |
申请人 | 上海贝岭股份有限公司 | 发明人 | 罗鹏 |
分类号 | H03B5/02;G05F1/46 | 主分类号 | H03B5/02 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 罗大忱 |
主权项 | 1.一种片上两路电源自动切换低功耗晶体振荡器,包括稳压电路、振荡器、振荡检测电路,稳压电路中,增强型PMOS管(P1、P2)组成恒流源闭合回路,P1管源极和P2管源极接主电源或从电源(VDD),增强型NMOS管(N0)作为反馈管,其源极与P1管漏极连接,其特征在于:增强型NMOS管(N1、N2)组成另一个恒流源闭合回路,N1、N2管栅极相连,P2管漏极接N2管漏极,P1管漏极接N1管漏极。 | ||
地址 | 200233上海市宜山路810号 |