腐蚀设备

摘要

一种腐蚀设备，具有一个处理前的衬底保持室、一个衬底传递室、一个处理后的衬底保持室，以及一个腐蚀室。在腐蚀室中，使用氟化卤素气体如ClF₃气体的腐蚀，例如对薄膜晶体管的有源层的腐蚀，是在不使氟化卤素气体离化或等离子增强的情况下进行的。由于不发生等离子损伤，因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现，于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动，因而使薄膜晶体管中的截止电流值减小。

主权项

1.一种半导体处理方法，包括下列步骤：在处理前衬底保持室中保持至少一个处理前衬底；将衬底从处理前衬底保持室传递到腐蚀室；在腐蚀室中用保持在非等离子状态的氟化卤素气体腐蚀衬底；从位于腐蚀室外的光源对衬底照射光；用传感器感测通过衬底或从衬底上反射的光以检测腐蚀的结果；将腐蚀后的衬底从腐蚀室传递到处理后衬底保持室；以及在处理后衬底保持室中保持腐蚀后的衬底，其特征在于：其中，通过腐蚀工艺在衬底上形成一薄膜晶体管的有源层。