发明名称 | 半导体只读存储器的高密度行解码装置 | ||
摘要 | 一种半导体只读存储器的高密度行解码装置,主要是将一只读存储器的行解码装置直接切齐连接于只读存储器单元阵列,可将所欲读取数据的存储器单元阵列解码至电源地及位线,使读出放大器能够读出存储器单元阵列所储存的数据,本发明的高密度行解码装置,主要包括有一行解码线路、一缓冲线路及一行选择线路,通过将所述之线路集中一起布局,达到高密度、高速度及高效率之目的。 | ||
申请公布号 | CN1129188C | 申请公布日期 | 2003.11.26 |
申请号 | CN98100208.0 | 申请日期 | 1998.01.07 |
申请人 | 盛群半导体股份有限公司 | 发明人 | 彭咏钿 |
分类号 | H01L27/00;H03M1/00 | 主分类号 | H01L27/00 |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 关兆辉;左明坤 |
主权项 | 1.一种半导体只读存储器的高密度行解码装置,主要包括有:一行前置解码线路,作为行信号预先解码之动作;一高密度行解码线路,连接于该行前置解码线路,用以执行存储器行信号之解码动作;一存储器单元阵列,连接于该高密度行解码线路,用以储存所需之数据;一列解码线路,连接于该存储器单元矩阵,用以将存储器的列信号加以解码;上述的行前置解码线路与该高密度行解码线路切齐布局;该高密度行解码线路与该存储器单元阵列切齐布局。 | ||
地址 | 台湾省新竹市科学工业园区研新二路三号 |