| 发明名称 | 半导体激光器及劈开方法 | ||
| 摘要 | 在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中，该包层结构包括一可饱和吸收层，且该可饱和吸收层由InGaAs P形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1129218C | 申请公布日期 | 2003.11.26 |
| 申请号 | CN97190228.3 | 申请日期 | 1997.02.28 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 木户口勳;足立秀人;熊渕康仁 |
| 分类号 | H01S5/30;H01S3/00;H01L21/304 | 主分类号 | H01S5/30 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器，包括一活性层和其间插入该活性层的一包层结构，其中该包层结构包括一可饱和吸收层，且该可饱和吸收层由InxGa1-xAsyP1-y(o＜x＜1，o≤y≤1)形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||